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    • 专利摘要:
    該發光元件的製造方法具備：將聚光點(P1)對準在表面(2a)上形成有III-V族化合物半導體層(17)的藍寶石基板(2)的內部，以基板(2)的背面(2b)作為雷射光入射面，沿著切斷預定線(5a、5b)照射雷射光(L1)，由此沿著切斷預定線(5a、5b)，在基板(2)的內部形成改質區域(7a、7b)的步驟；其後，在基板(2)的背面(2b)形成光反射層的步驟；其後，藉由使以改質區域(7a、7b)為起點，而產生的龜裂在基板(2)的厚度方向上伸展，從而沿著切斷預定線(5a、5b)切斷基板(2)、半導體層(17)和光反射層，製造發光元件的步驟。
    公开号:TW201318199A
    申请号:TW101125796
    申请日:2012-07-18
    公开日:2013-05-01
    发明作者:Naoki Uchiyama
    申请人:Hamamatsu Photonics Kk；
    IPC主号:H01L33-00
    专利说明:
    發光元件的製造方法
    本發明涉及一種發光元件的製造方法。
    作為切斷藍寶石基板的表面上形成有III-V族化合物半導體層的晶片，而製造發光元件的方法，已知有如下述的方法。即，藉由將聚光點對準藍寶石基板的內部，而照射雷射光，從而沿著切斷預定線，在藍寶石基板的內部形成改質區域，並以該改質區域作為起點，切斷藍寶石基板和III-V族化合物半導體層的方法(例如，參照日本特開2005-166728號公報)。
    然而，在上述那樣的發光元件中，有時為了提高發光效率，而在藍寶石基板的背面形成光反射層。
    因此，本發明的目的在於，提供一種能夠高成品率地製造在藍寶石基板的背面上，形成有光反射層的發光元件的製造方法。
    本發明的一個觀點的發光元件的製造方法，具備有將聚光點對準在表面上形成有III-V族化合物半導體層的藍寶石基板的內部，以藍寶石基板的背面作為雷射光入射面，沿著規定的切斷預定線，照射第1雷射光，由此沿著切斷預定線，在藍寶石基板的內部形成改質區域的第2步驟；在第2步驟之後，在藍寶石基板的背面，形成光反射層的第3步驟；在第3步驟之後，藉由使以改質區域為起點，而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上伸展，從而沿著切斷預定線，切斷藍寶石基板、III-V族化合物半導體層和光反射層，製造發光元件的第4步驟。
    在該發光元件的製造方法中，在藍寶石基板的背面形成光反射層之前，藉由以藍寶石基板的背面作為雷射光入射面，來照射第1雷射光，在藍寶石基板的內部形成改質區域。由此，第1雷射光的聚光不會被光反射層阻礙，因此，可以在藍寶石基板的內部形成期望的改質區域。而且，由於藍寶石基板的背面成為雷射光入射面，因此可以抑制由於第1雷射光的照射，而對III-V族化合物半導體層產生損傷。此外，由於在藍寶石基板的內部形成改質區域，因此可以在藍寶石基板的背面形成期望的光反射層。如上述，根據該發光元件的製造方法，由於可以以期望的改質區域為起點，來切斷形成有期望的III-V族化合物半導體層和光反射層的藍寶石基板，因此，可以高成品率地製造在藍寶石基板的背面，形成有光反射層的發光元件。再者，所謂藍寶石基板的內部，也包含形成有III-V族化合物半導體層的藍寶石基板的表面上的意思。另外，發光元件的製造方法，也可以還具備在第2步驟之前，在藍寶石基板的表面上形成III-V族化合物半導體層的第1步驟。
    另外，在第2步驟中，也可以沿著切斷預定線，在藍寶石基板的內部形成改質區域，以使第4步驟中，在藍寶石基板的厚度方向上伸展的龜裂，至少預先到達藍寶石基板的表面。在該情況下，在第4步驟中，容易沿著切斷預定線，切斷藍寶石基板、III-V族化合物半導體層和光反射層，特別是，可以提高III-V族化合物半導體層的切斷精度。
    或者，在第2步驟中，也可以沿著切斷預定線，在藍寶石基板的內部形成改質區域，以使第4步驟中，在藍寶石基板的厚度方向上伸展的龜裂，預先到達藍寶石基板的背面。在該情況下，在第4步驟中，容易沿著切斷預定線，切斷藍寶石基板、III-V族化合物半導體層和光反射層，特別是，可以提高光反射層的切斷精度。
    另外，在第4步驟中，也可以藉由從光反射層的一側，沿著切斷預定線擠壓刀口，使以改質區域為起點，而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上伸展。在該情況下，可以抑制由於刀口的擠壓而對III-V族化合物半導體層產生損傷，並可以容易地沿著切斷預定線，切斷藍寶石基板、III-V族化合物半導體層和光反射層。
    另外，發光元件的製造方法，還具備在第3步驟之後且第4步驟之前，藉由從光反射層的一側，沿著切斷預定線，照射相對於光反射層具有吸收性的第2雷射光，使以改質區域為起點而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上伸展的步驟，在第4步驟中，也可以藉由使以改質區域為起點，而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上進一步伸展，從而沿著切斷預定線，切斷藍寶石基板、III-V族化合物半導體層和光反射層。或者，在第4步驟中，也可以藉由從光反射層的一側，沿著切斷預定線，照射相對於光反射層具有吸收性的第2雷射光，使以改質區域為起點，而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上伸展。在這些情況下，可以抑制由於第2雷射光的照射，而對III-V族化合物半導體層產生損傷，並可以使以改質區域為起點，而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上伸展。
    另外，發光元件的製造方法，還具備在第3步驟之後且第4步驟之前，藉由將聚光點對準藍寶石基板的內部，並從III-V族化合物半導體層的一側，沿著切斷預定線，照射相對於III-V族化合物半導體層具有透過性的第3雷射光，使以改質區域為起點，而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上伸展的步驟，在第4步驟中，也可以藉由使以改質區域為起點，而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上進一步伸展，從而沿著切斷預定線，切斷藍寶石基板、III-V族化合物半導體層和光反射層。或者，在第4步驟中，也可以藉由將聚光點對準藍寶石基板的內部，並從III-V族化合物半導體層的一側，沿著切斷預定線，照射相對於III-V族化合物半導體層具有透過性的第3雷射光，使以改質區域為起點，而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上伸展。在這些情況下，由於第3雷射光相對於III-V族化合物半導體層具有透過性，因此，可以抑制由於第3雷射光的照射，而對III-V族化合物半導體層產生損傷，並可以使以改質區域為起點，而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上伸展。
    此時，可以僅在切斷預定線的交叉部分，從III-V族化合物半導體層的一側，沿著切斷預定線，照射第3雷射光。在該情況下，可以進一步抑制由於第3雷射光的照射，而對III-V族化合物半導體層產生損傷，並在要求切斷精度的切斷預定線的交叉部分中，使以改質區域為起點，而產生的龜裂在藍寶石基板的厚度方向上伸展。
    以下，參照附圖，詳細地說明本發明的合適的實施方式。另外，各圖中相同或相當的部分使用相同符號，省略重複的說明。
    本實施方式的發光元件的製造方法，具備藉由將聚光點對準藍寶石基板的內部而照射雷射光，從而沿著切斷預定線，在藍寶石基板的內部形成改質區域的步驟。因此，首先，不限定於藍寶石基板，參照圖1~圖6，對相對於板狀的加工對象物的改質區域的形成進行說明。
    如圖1所示，雷射加工裝置100具備雷射光源101,其對雷射光L進行脈衝振蕩；分色鏡(dichroic mirror)103，其以將雷射光L的光軸(光路)的方向改變90度的方式配置；以及聚光用透鏡105，其用於對雷射光L進行聚光。另外，雷射加工裝置100具備支撐台107，其用於支撐照射有經聚光用透鏡105所聚光的雷射光L的加工對象物1；平臺(stage)111，其用於使支撐台107移動；雷射光光源控制部102，其為了調節雷射光L的輸出或脈衝寬度等，而控制雷射光源101；以及平臺控制部115，其控制平臺111的驅動。
    在該雷射加工裝置100中，從雷射光源101射出的雷射光L，藉由分色鏡103，使其光軸的方向改變90度，且藉由聚光用透鏡105，聚光至被載置於支撐台107上的加工對象物1的內部。與此同時，平臺111進行移動，加工對象物1相對於雷射光L，沿著切斷預定線5進行相對移動。由此，沿著切斷預定線5的改質區域，被形成於加工對象物1。
    作為加工對象物1，可以使用由各種材料(例如玻璃、半導體材料、壓電材料等)構成的板狀的構件(例如基板、晶片等)。如圖2所示，在加工對象物1上，設定有用於切斷加工對象物1的切斷預定線5。切斷預定線5為以直線狀延伸的假想線。在加工對象物1的內部形成改質區域的情況下，如圖3所示，在將聚光點P對準加工對象物1的內部的狀態下，使雷射光L沿著切斷預定線5(即，圖2的箭頭A方向)相對地移動。由此，如圖4~圖6所示，改質區域7，沿著切斷預定線5，而形成在加工對象物1的內部，且沿著切斷預定線5而形成的改質區域7成為切斷起點區域8。
    另外，所謂聚光點P，是指雷射光L聚光之處。另外，切斷預定線5並不限於直線狀，也可以為曲線狀，且不限於假想線，也可以是實際上畫在加工對象物1的表面3上的線。另外，改質區域7有連續形成的情況，也有斷斷續續地形成的情況。另外，改質區域7可以是列狀，也可以是點狀，總之，改質區域7只要是至少形成於加工對象物1的內部即可。另外，有將改質區域7當作起點而形成龜裂的情況，龜裂及改質區域7也可以露出於加工對象物1的外表面(表面、背面、或者外周面)。
    順便提及，這裏的雷射光L，透過加工對象物1並且在加工對象物1的內部的聚光點附近被特別地吸收，由此，在加工對象物1形成改質區域7(即，內部吸收型雷射加工)。因而，由於雷射光L在加工對象物1的表面3幾乎不被吸收，因此加工對象物1的表面3不會熔融。一般而言，在從表面3開始被熔融且被去除，而形成孔或溝槽等的去除部(表面吸收型雷射加工)時，加工區域從表面3側慢慢地朝背面側進行。
    然而，改質區域是指成為密度、折射率、機械強度或其他的物理特性與周圍不同的狀態的區域。作為改質區域，例如有熔融處理區域、裂紋(crack)區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域等，也有這些區域混合而成的區域。另外，作為改質區域，在加工對象物的材料中，改質區域的密度與非改質區域的密度相比較，有發生變化的區域、或者形成有晶格缺陷的區域(這些概括起來也稱為高密度轉移區域)。
    另外，熔融處理區域或折射率變化區域、改質區域的密度與非改質區域的密度相比較，發生變化的區域、形成有晶格缺陷的區域，還在這些區域的內部或在改質區域與非改質區域的介面，存在包含龜裂(割裂、微裂紋等)的情況。存在所包含的龜裂，遍及改質區域的整個面的情況、或者僅形成在一部分或形成在多個部分的情況。作為加工對象物1，可以舉出例如由矽、玻璃、LiTaO3或藍寶石(Al2O3)構成的基板或晶片、或者含有這樣的基板或晶片的加工對象物。
    另外，改質區域7是沿著切斷預定線5，形成有多個改質點(加工痕)的區域。改質點，是由脈衝雷射光的1個脈衝的射擊(shot)(即1個脈衝的雷射照射：雷射射擊)所形成的改質部分，藉由聚集改質點而形成改質區域7。作為改質點，可以舉出裂紋點、熔融處理點或折射率變化點、或者這些中的至少一個混合而成的改質點等。
    關於該改質點，考慮所要求的切斷精度、所要求的切斷面的平坦性、加工對象物的厚度、種類、結晶方位等，來適當控制其大小或所產生的龜裂的長度為較佳。 [第1實施方式]
    在第1實施方式中，如以下所示，製造作為發光元件的發光二級管。首先，如圖7和圖8所示，準備藍寶石基板2。藍寶石基板2，是將C面作為表面2a和背面2b的圓板狀的單晶體藍寶石基板。藍寶石基板2的M面，大致垂直於定向平面(以下稱為“OF”)19，藍寶石基板2的A面大致平行於OF 19。
    接著，如圖9所示，在藍寶石基板2的表面2a，形成III-V族化合物半導體層(以下，只稱為“半導體層”)17。半導體層17，具有層疊在藍寶石基板2的表面2a上的第1導電類型半導體層，即n型半導體層17a，以及層疊在n型半導體層17a上的第2導電類型半導體層，即p型半導體層17b。n型半導體層17a和p型半導體層17b，由例如GaN等的氮化物半導體(III-V族化合物半導體)構成，彼此pn接合。
    再者，為了使在n型半導體層17a和p型半導體層17b中產生的熱能高效率地散熱，使藍寶石基板2的厚度為50μm~200μm，50μm~150μm為較佳。另外，n型半導體層17a的厚度例如是6μm，p型半導體層17b的厚度例如是1μm。
    接著，如圖10所示，在藍寶石基板2的背面2b上，貼上保護膠帶23。然後，如圖11所示，藉由在由切斷預定線5a、5b(參照圖8)，所劃定的每個區域上，蝕刻半導體層17以使p型半導體層17b以島狀殘留，從而形成凹部25。此時，使凹部25的底面位於n型半導體層17a的中途。
    再者，對於蝕刻方法而言，有濕蝕刻和乾蝕刻，但形成凹部25時可以使用其中的任一種。作為濕蝕刻，例如有利用磷酸和硫酸的混合酸的蝕刻。另外，作為乾蝕刻，例如有反應性離子蝕刻(RIE)、反應性離子束蝕刻(RIB)、離子銑(iron milling)等。另外，也可以用蝕刻以外的方法形成凹部25。
    另外，如圖8所示，對於藍寶石基板2，切斷預定線5a、5b被設定為例如2mm間隔的格子狀。切斷預定線5a，沿著藍寶石基板2的M面設定有多條，切斷預定線5b，沿著藍寶石基板2的A面設定有多條。這裏，所謂沿著M面所設定的切斷預定線5a，不僅包含切斷預定線5a平行於M面的情況，而且也包含相對於M面在±10°的範圍內傾斜的情況。同樣地，所謂沿著A面所設定的切斷預定線5b，不僅包含切斷預定線5b平行於A面的情況，而且也包含相對於A面在±10°的範圍內傾斜的情況。
    接著，如圖12所示，在凹部25的底面(即藉由蝕刻而露出的n型半導體層17a的表面)形成電極18a，並在以島狀殘留的p型半導體層17b的表面，形成電極18b。由此，將n型半導體層17a與電極18a電連接，將p型半導體層17b與電極18b電連接。
    接著，如圖13所示，以覆蓋半導體層17的方式，在半導體層17上貼上保護膠帶24，並從藍寶石基板2的背面2b除去保護膠帶23。在該狀態下，使用上述的雷射加工裝置100，如下前述，在藍寶石基板2的內部，形成改質區域7a、7b。
    即，如圖13(a)所示，將聚光點P1對準藍寶石基板2的內部，以藍寶石基板2的背面2b作為雷射光入射面，沿著切斷預定線5b，照射作為脈衝雷射光的雷射光(第1雷射光)L1。這裏，藉由支撐台107的移動，使雷射光L1的聚光點P1，以比後面所述的第1相對速度慢的第2相對速度，沿著切斷預定線5b相對地移動。
    藉由該雷射光L1的照射，沿著以沿著藍寶石基板2的A面的方式，設定的切斷預定線5b，在藍寶石基板2的內部形成改質區域7b。作為改質區域7b，形成了熔融處理區域、裂紋區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域等、或者這些區域混合而成的區域。
    再者，藉由1個脈衝的雷射光L1的照射形成改質部分，但藉由以比後面所述的第1形成間距(pitch)狹窄的第2形成間距，沿著切斷預定線5b排列多個改質部分，從而形成改質區域7b。第2形成間距，為用雷射光L1的重複頻率除以第2相對速度的值。例如，若使第2相對速度為600mm/秒，雷射光L1的重複頻率為100kHz，則第2形成間距為6μm(=600 mm/秒÷100kHz)。
    接著，如圖13(b)所示，將聚光點P1對準藍寶石基板2的內部，以藍寶石基板2的背面2b作為雷射光入射面，沿著切斷預定線5a照射雷射光L1。這裏，藉由支撐台107的移動，使雷射光L1的聚光點P1以第1相對速度，沿著切斷預定線5a相對地移動。
    藉由該雷射光L1的照射，沿著以沿著藍寶石基板2的M面的方式，設定的切斷預定線5a，在藍寶石基板2的內部形成改質區域7a。作為改質區域7b，形成了熔融處理區域、裂紋區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域等、或者這些混合而成的區域。
    再者，藉由1個脈衝的雷射光L1的照射形成改質部分，但藉由以第1形成間距，沿著切斷預定線5a，排列多個改質部分，從而形成改質區域7a。第1形成間距，為用雷射光L1的重複頻率除以第1相對速度的值。例如，若使第1相對速度為1000mm/秒，雷射光L1的重複頻率為100kHz，則第1形成間距為10μm(=1000 mm/秒÷100kHz)。
    接著，如圖14所示，在保護膠帶24被貼於半導體層17的狀態下，在反射膜形成裝置上搬送藍寶石基板2，在內部形成有改質區域7a、7b的藍寶石基板2的背面2b上，形成光反射層21。光反射層21包含DBR(Distributed Bragg Reflector，分佈布拉格反射鏡)膜、以及該DBR膜的外側所形成的金屬膜，使雷射光L1幾乎不透過(或反射)。該光反射層21用於提高所製造的發光二極體的發光效率。還有，也可以將保護膠帶24重新貼於其他的保護膠帶(或保護構件)，在其他的保護膠帶(或保護構件)被貼於半導體層17的狀態下，在反射膜形成裝置上搬送藍寶石基板2。在該情況下，其他的保護膠帶(或保護構件)具有耐熱性為較佳。
    接著，如圖15所示，以覆蓋光反射層21的方式，在光反射層21上貼上擴展(expand)膠帶29，並從半導體層17除去保護膠帶24。在該狀態下，如下，切斷藍寶石基板2、半導體層17和光反射層21(以下稱為“藍寶石基板2等”)。
    即，如圖15(a)所示，藉由從光反射層21的一側透過擴展膠帶29，而沿著切斷預定線5b擠壓刀口28，使以改質區域7b為起點而產生的龜裂26b，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。由此，沿著以沿著藍寶石基板2的A面的方式，設定的切斷預定線5b，將藍寶石基板2等切斷成條(stripe)狀。
    接著，如圖15(b)所示，藉由從光反射層21的一側，透過擴展膠帶29，而沿著切斷預定線5a擠壓刀口28，使以改質區域7a為起點而產生的龜裂26a，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。由此，沿著以沿著藍寶石基板2的M面的方式，設定的切斷預定線5a，將藍寶石基板2等切斷成晶片(chip)狀。
    再者，在第1實施方式中，直到即將藉由刀口28的擠壓來切斷藍寶石基板2等之前為止，龜裂26a、26b不到達藍寶石基板2的表面2a和背面2b。但是，直到即將藉由刀口28的擠壓來切斷藍寶石基板2等之前為止，龜裂26a、26b有可能以改質區域7a、7b為起點，而產生在藍寶石基板2的內部，也有可能不產生。
    接著，如圖16所示，藉由使擴展膠帶29擴張，從而使藉由將藍寶石基板2等切斷成晶片狀，而形成的多個發光二極體31相互分離。各發光二極體31，具有藍寶石基板2、pn接合的n型半導體層17a和p型半導體層17b、與n型半導體層17a電連接的電極18a、與p型半導體層17b電連接的電極18b、以及光反射層21。
    如以上說明的那樣，在第1實施方式的發光元件的製造方法中，藉由在藍寶石基板2的背面2b形成光反射層21之前，以藍寶石基板2的背面2b作為雷射光入射面，而照射雷射光L1，從而在藍寶石基板2的內部形成改質區域7a、7b。由此，雷射光L1的聚光不會被光反射層21阻礙，因而可以在藍寶石基板2的內部，形成所期望的改質區域7a、7b。而且，由於藍寶石基板2的背面2b成為雷射光入射面，因此可以抑制由於雷射光L1的照射而對半導體層17產生損傷。此外，由於在藍寶石基板2的內部形成改質區域7a、7b，因此可以在藍寶石基板2的背面2b，形成期望的光反射層21。這樣，根據第1實施方式的發光元件的製造方法，由於可以以期望的改質區域7a、7b為起點，來切斷形成有期望的半導體層17和光反射層21的藍寶石基板2，因此，可以高成品率地製造在藍寶石基板2的背面2b，形成有光反射層21的發光二極體31。
    另外，在切斷藍寶石基板2等時，藉由從光反射層21的一側，沿著切斷預定線5a、5b擠壓刀口28，使以改質區域7a、7b為起點，產生的龜裂26a、26b在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。由此，可以抑制由於刀口28的擠壓而對半導體層17產生損傷，並可以沿著切斷預定線5a、5b，容易地切斷藍寶石基板2等。
    另外，對於沿著藍寶石基板2的M面所設定的切斷預定線5a，以第1形成間距形成多個改質部分，對於沿著藍寶石基板2的A面所設定的切斷預定線5b，以比第1形成間距小的第2形成間距，形成多個改質部分。藉由如上前述形成改質部分，對於從沿著切斷預定線5a所形成的改質區域7a產生的龜裂26a，以及從沿著切斷預定線5b所形成的改質區域7b產生的龜裂26b的兩者而言，可以抑制它們的曲折(蛇行)。
    這是基於如下見解：對於切斷預定線5b而言，若與切斷預定線5a相同以第1形成間距形成多個改質部分，則有從沿著切斷預定線5b所形成的改質區域7b，產生的龜裂26b的曲折變大的趨勢。作為其理由，可以認為原因在於，沿著以沿著藍寶石基板2的A面的方式，設定的切斷預定線5b，比沿著以沿著藍寶石基板2的M面的方式，設定的切斷預定線5a更難劈開(即，需要更大的切斷力)。
    另外，形成改質區域7a、7b時，沿著以沿著藍寶石基板2的A面的方式，設定的切斷預定線5b，形成改質區域7b之後，沿著以沿著藍寶石基板2的M面的方式，設定的切斷預定線5a，形成改質區域7a。如上述那樣，對於沿著A面所設定的切斷預定線5b，以比第1形成間距狹窄的第2形成間距，更高精度地形成多個改質部分為較佳。因此，藉由在形成改質區域7a之前形成改質區域7b，從而在改質區域7b的形成時，在切斷預定線5b與切斷預定線5a交叉的部分中，可以防止用於形成改質區域7b的雷射光L1的照射，被改質區域7a阻礙。由此，可以更有效地抑制從沿著切斷預定線5b，所形成的改質區域7b產生的龜裂26b的曲折。
    另外，在照射雷射光L1時，使雷射光L1的聚光點P1，以第1相對速度沿著切斷預定線5a相對地移動，使雷射光L1的聚光點P1，以比第1相對速度慢的第2相對速度，沿著切斷預定線5b相對地移動。由此，可以容易而且正確地進行第1形成間距和比第1形成間距狹窄的第2形成間距的調節。
    另外，在切斷藍寶石基板2等時，沿著以沿著藍寶石基板2的A面的方式，設定的切斷預定線5b，將藍寶石基板2等切斷成條狀之後，沿著以沿著藍寶石基板2的M面的方式，設定的切斷預定線5a，將藍寶石基板2等切斷成晶片狀。由此，可以減少沿著切斷預定線5b，切斷藍寶石基板2等所需要的力，並可以提高沿著切斷預定線5b的藍寶石基板2等的切斷精度。這是基於這樣的見解：與將沿著M面所形成的改質區域7a作為切斷的起點的情況相比，將沿著A面所形成的改質區域7b作為切斷的起點的情況需要更大的切斷力(切斷所需要的力變大)。另外，其原因在於，與在沿著切斷預定線5a不切斷藍寶石基板2等的狀態下，與沿著切斷預定線5b切斷藍寶石基板2等的情況相比，在沿著切斷預定線5a切斷藍寶石基板2等的狀態下，沿著切斷預定線5b切斷藍寶石基板2等的情況需要更大的切斷力。
    再者，有時沿著以沿著藍寶石基板2的M面的方式，設定的切斷預定線5a，將藍寶石基板2等切斷成條狀之後，沿著以沿著藍寶石基板2的A面的方式，設定的切斷預定線5b，將藍寶石基板2等切斷成晶片狀為較佳。由於對於切斷預定線5a，以比第2形成間距寬的第1形成間距形成多個改質部分，因此，若在沿著切斷預定線5b切斷藍寶石基板2等的狀態下，沿著切斷預定線5a切斷藍寶石基板2等，則有時會降低沿著切斷預定線5a的藍寶石基板2等的切斷精度。相對於此，由於對於切斷預定線5b，以比第1形成間距窄的第2形成間距形成多個改質部分，因此，即使在沿著切斷預定線5a切斷藍寶石基板2等的狀態下，沿著切斷預定線5b切斷藍寶石基板2等，也可以抑制沿著切斷預定線5b的藍寶石基板2等的切斷精度的降低。因此，在以改質區域7b為起點切斷藍寶石基板2等之前，藉由以改質區域7a為起點切斷藍寶石基板2等，可以抑制沿著切斷預定線5b的藍寶石基板2等的切斷精度的降低，並提高沿著切斷預定線5a的藍寶石基板2等的切斷精度。 [第2實施方式]
    第2實施方式的發光元件的製造方法，與第1實施方式的發光元件的製造方法的不同點主要在於，藉由雷射光L1的照射形成改質區域7a、7b，並且使龜裂26a、26b至少預先到達藍寶石基板2的表面2a。
    即，如圖17(a)所示，在藍寶石基板2的表面2a上，形成半導體層17之後，使聚光點P1對準藍寶石基板2的內部，以藍寶石基板2的背面2b作為雷射光入射面，沿著切斷預定線5b，照射雷射光L1。此時，藉由調節雷射光L1的照射條件(從藍寶石基板2的表面2a至聚光點P1的距離等)，沿著切斷預定線5b，在藍寶石基板2的內部形成改質區域7b，以使龜裂26b至少預先到達藍寶石基板2的表面2a。
    接著，如圖17(b)所示，使聚光點P1對準藍寶石基板2的內部，以藍寶石基板2的背面2b作為雷射光入射面，沿著切斷預定線5a，照射雷射光L1。此時，藉由調節雷射光L1的照射條件，沿著切斷預定線5a，在藍寶石基板2的內部形成改質區域7a，以使龜裂26a至少預先到達藍寶石基板2的表面2a。
    再者，在對於沿著藍寶石基板2的M面所設定的切斷預定線5a，以第1形成間距形成多個改質部分，對於沿著藍寶石基板2的A面所設定的切斷預定線5b，以比第1形成間距狹窄的第2形成間距，形成多個改質部分等方面，與第1實施方式相同。另外，改質區域7a、7b的形成時，所產生的龜裂26a、26b，如第1實施方式所述的那樣，在切斷藍寶石基板2等時，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。該龜裂26a、26b在改質區域7a、7b的形成時，可以至少到達藍寶石基板2的表面2a，因而在改質區域7a、7b的形成時，可以到達半導體層17的內部，也可以到達半導體層17的外表面。
    如以上說明的那樣，根據第2實施方式的發光元件的製造方法，除了與第1實施方式的發光元件的製造方法相同的效果以外，如下的效果也奏效了。即，在第2實施方式的發光元件的製造方法中，沿著切斷預定線5a、5b，在藍寶石基板2的內部形成改質區域7a、7b，以使在藍寶石基板2的厚度方向上伸展的龜裂26a、26b，至少預先到達藍寶石基板2的表面2a。由此，例如在從光反射層21的一側，沿著切斷預定線5a、5b擠壓刀口28時，龜裂26a、26b會裂開而容易向藍寶石基板2的背面2b的一側伸展，因而可以沿著切斷預定線5a、5b，容易地(用比較小的力)切斷藍寶石基板2等。此外，藉由使龜裂26a、26b至少預先到達藍寶石基板2的表面2a，從而可以提高半導體層17的切斷精度。
    另外，由於在形成光反射層21時，在用於真空蒸鍍等的加熱爐內，配置藍寶石基板2，因此，由於藍寶石基板2與半導體層17的熱膨脹率的差，而以藍寶石基板2的背面2b的一側伸長且藍寶石基板2的表面2a的一側收縮的方式，使藍寶石基板2容易翹曲。此時，由於龜裂26a、26b到達藍寶石基板2的表面2a，因此，藍寶石基板2以龜裂26a、26b閉合的方式翹曲。因此，在藍寶石基板2的背面2b形成光反射層21時，龜裂26a、26b難以到達藍寶石基板2的背面2b。
    再者，在藍寶石基板2的背面2b形成光反射層21時，從使龜裂26a、26b難以到達藍寶石基板2的背面2b的觀點出發，使改質區域7a、7b的形成時，所產生的龜裂26a、26b不到達半導體層17的外表面，而使其停止在藍寶石基板2的表面2a或半導體層17的內部為較佳。 [第3實施方式]
    第3實施方式的發光元件的製造方法，與第1實施方式的發光元件的製造方法的不同點主要在於，藉由雷射光L1的照射形成改質區域7a、7b，並且使龜裂26a、26b預先到達藍寶石基板2的背面2b。
    即，如圖18(a)所示，在藍寶石基板2的表面2a形成半導體層17之後，使聚光點P1對準藍寶石基板2的內部，以藍寶石基板2的背面2b作為雷射光入射面，沿著切斷預定線5b，照射雷射光L1。此時，藉由調節雷射光L1的照射條件(從藍寶石基板2的表面2a至聚光點P1的距離等)，沿著切斷預定線5b，在藍寶石基板2的內部形成改質區域7b，以使龜裂26b預先到達藍寶石基板2的背面2b。
    接著，如圖18(b)所示，使聚光點P1對準藍寶石基板2的內部，以藍寶石基板2的背面2b作為雷射光入射面，沿著切斷預定線5a，照射雷射光L1。此時，藉由調節雷射光L1的照射條件，沿著切斷預定線5a，在藍寶石基板2的內部形成改質區域7a，以使龜裂26a預先到達藍寶石基板2的背面2b。
    再者，在對於沿著藍寶石基板2的M面所設定的切斷預定線5a，以第1形成間距形成多個改質部分，對於沿著藍寶石基板2的A面所設定的切斷預定線5b，以比第1形成間距狹窄的第2形成間距形成多個改質部分等方面，與第1實施方式相同。另外，改質區域7a、7b的形成時所產生的龜裂26a、26b，如第1實施方式所述的那樣，在切斷藍寶石基板2等時，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。
    如以上說明的那樣，根據第3實施方式的發光元件的製造方法，除了與第1實施方式的發光元件的製造方法相同的效果以外，如下的效果也奏效了。即，在第3實施方式的發光元件的製造方法中，沿著切斷預定線5a、5b，在藍寶石基板2的內部形成改質區域7a、7b，以使在藍寶石基板2的厚度方向上伸展的龜裂26a、26b，預先到達藍寶石基板2的背面2b。由此，例如在從半導體層17的一側，沿著切斷預定線5a、5b擠壓刀口28、或者使貼在藍寶石基板2的背面2b的擴展膠帶29擴張時，龜裂26a、26b會裂開而容易向半導體層17的一側伸展，因而可以沿著切斷預定線5a、5b，容易地(用比較小的力)切斷藍寶石基板2等。此外，藉由使龜裂26a、26b預先到達藍寶石基板2的背面2b，可以提高光反射層21的切斷精度。
    另外，在形成改質區域7a、7b時，由於可以使雷射光L1的聚光點P1遠離半導體層17，因此，可以進一步地抑制因雷射光L1的照射，而對半導體層17產生損傷。
    再者，在形成光反射層21時，龜裂26a、26b會到達藍寶石基板2的背面2b，但由於該龜裂26a、26b大致閉合，因此不會阻礙向藍寶石基板2的背面2b的光反射層21的形成。 [第4實施方式]
    第4實施方式的發光元件的製造方法，與第1實施方式的發光元件的製造方法的不同點主要在於，藉由雷射光L2的照射來切斷藍寶石基板2等。
    即，如圖19(a)所示，在藍寶石基板2的內部形成改質區域7a、7b之後，藉由使聚光點P2對準光反射層21，並從光反射層21的一側沿著切斷預定線5b，照射相對於光反射層21具有吸收性的雷射光(第2雷射光)L2，使以改質區域7b為起點產生的龜裂26b，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。該龜裂26b的伸展，是由於雷射光L2在光反射層21被吸收的結果所產生的加熱誘發而引起的。由此，沿著以沿著藍寶石基板2的A面的方式設定的切斷預定線5b，將藍寶石基板2等切斷成條狀。
    接著，如圖19(b)所示，藉由使聚光點P2對準光反射層21，並從光反射層21的一側，沿著切斷預定線5a照射雷射光L2，使以改質區域7a為起點產生的龜裂26a，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。該龜裂26a的伸展，是由於雷射光L2在光反射層21被吸收的結果所產生的加熱誘發而引起的。由此，沿著以沿著藍寶石基板2的M面的方式設定的切斷預定線5a，將藍寶石基板2等切斷成晶片狀。
    再者，藉由雷射光L2的照射，也可以使龜裂26a、26b僅在藍寶石基板2的厚度方向上伸展，而不到達半導體層17的外表面和光反射層21的外表面中的至少一方。在該情況下，可以藉由刀口28的擠壓或擴展膠帶29的擴張等，而沿著切斷預定線5a、5b作用外力，使龜裂26a、26b在藍寶石基板2的厚度方向上進一步伸展，由此沿著切斷預定線5a、5b，切斷藍寶石基板2等。
    如以上說明的那樣，根據第4實施方式的發光元件的製造方法，除了與第1實施方式的發光元件的製造方法相同的效果以外，如下的效果也奏效了。即，在第4實施方式的發光元件的製造方法中，由於使雷射光L2在光反射層21吸收並使龜裂26a、26b伸展，因此，可以抑制由於雷射光L2的照射而對半導體層17產生損傷，並使以改質區域7a、7b為起點產生的龜裂26a、26b，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。 [第5實施方式]
    第5實施方式的發光元件的製造方法，與第1實施方式的發光元件的製造方法的不同點主要在於，藉由雷射光L3的照射來切斷藍寶石基板2等。
    即，如圖20(a)所示，在藍寶石基板2的內部形成改質區域7a、7b之後，藉由使聚光點P3對準藍寶石基板2的內部，並從半導體層17的一側沿著切斷預定線5b，照射相對於半導體層17具有透過性的雷射光(第3雷射光)L3，使以改質區域7b為起點產生的龜裂26b，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。該龜裂26b的伸展，是由於在已經形成的改質區域7b或其周邊部分、透過了半導體層17的雷射光L3被吸收的結果所產生的加熱誘發、或者新的改質區域的形成而引起的。由此，沿著以沿著藍寶石基板2的A面的方式設定的切斷預定線5b，將藍寶石基板2等切斷成條狀。再者，在半導體層17由GaN構成的情況下，相對於該半導體層17具有透過性的雷射光L3的波長，為例如1340nm(使用Nd：YVO4雷射光的波長)。
    接著，如圖20(b)所示，藉由使聚光點P3對準藍寶石基板2的內部，並從半導體層17的一側沿著切斷預定線5a，照射雷射光L3，使以改質區域7a為起點產生的龜裂26a，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。該龜裂26a的伸展，是由於在已經形成的改質區域7a或其周邊部分、透過了半導體層17的雷射光L3被吸收的結果所產生的加熱誘發、或者新的改質區域的形成而引起的。由此，沿著以沿著藍寶石基板2的M面的方式設定的切斷預定線5a，將藍寶石基板2等切斷成晶片狀。
    再者，藉由雷射光L3的照射，可以使龜裂26a、26b僅在藍寶石基板2的厚度方向上伸展，而不到達半導體層17的外表面和光反射層21的外表面中的至少一方。在該情況下，可以藉由刀口28的擠壓或擴展膠帶29的擴張等，而沿著切斷預定線5a、5b作用外力，使龜裂26a、26b在藍寶石基板2的厚度方向上進一步伸展，由此沿著切斷預定線5a、5b切斷藍寶石基板2等。
    如以上說明的那樣，根據第5實施方式的發光元件的製造方法，除了與第1實施方式的發光元件的製造方法相同的效果以外，如下的效果也奏效了。即，在第5實施方式的發光元件的製造方法中，由於使雷射光L3以在透過半導體層17，而被藍寶石基板2的內部中的規定部分吸收，而使龜裂26a、26b伸展，因此，可以抑制由於雷射光L3的照射而對半導體層17產生損傷，並可以使以改質區域7a、7b為起點產生的龜裂26a、26b，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。
    另外，如圖21所示，可以對雷射光L3的照射進行ON/OFF控制，僅在切斷預定線5a與切斷預定線5b的交叉部分，進行雷射光L3的照射。在該情況下，可以進一步抑制由於雷射光L3的照射而對半導體層17產生的損傷，並可以在要求切斷精度的切斷預定線5a、5b的交叉部分，使以改質區域7a、7b為起點產生的龜裂26a、26b，在藍寶石基板2的厚度方向上伸展。
    以上，對本發明的實施方式進行了說明，但本發明不限於上述各實施方式。例如，如圖22所示，在形成改質區域7a(7b)時，也可以對於1條切斷預定線5a(5b)，以在藍寶石基板2的厚度方向上排列的方式，形成多列改質區域7a(7b)。據此，即使在藍寶石基板2比較厚的情況下，也可以用更小的力進行切割而切斷藍寶石基板2等。
    另外，可以製造作為發光元件的半導體雷射。在該情況下，如圖23所示，準備藍寶石基板2，將第1導電類型半導體層即n型半導體層33a、活性層33b、以及第2導電類型半導體層即p型半導體層33c，依次形成在藍寶石基板2的表面2a。n型半導體層33a、活性層33b和p型半導體層33c，例如由GaN等的III-V族化合物半導體構成，構成量子井構造。接著，以底面位於n型半導體層33a的中途的方式，沿著切斷預定線5a(5b)形成凹部25，由此，形成夾著活性層33而相對的共振面35。其後，與上述的發光二極體31的製造方法相同，形成光反射層，沿著切斷預定線5a(5b)，切斷n型半導體層33a、活性層33b和p型半導體層33c、藍寶石基板2以及光反射層。
    另外，也可以在形成改質區域7a(7b)之前，研磨藍寶石基板2的背面2b，而使藍寶石基板2薄型化。在該情況下，如圖24(a)所示，以覆蓋半導體層17的方式，將保護膠帶24貼在半導體層17。然後，如圖24(b)所示，研磨藍寶石基板2的背面2b，將藍寶石基板2薄型化至規定厚度。
    另外，作為半導體層17的材料，除了GaN等的氮化物半導體以外，還可以使用GaAlAs、GaAlAsP、GaAlInP等III-V族化合物半導體。再者，半導體層17有時直接形成在藍寶石基板2的表面2a，或者有時透過某些膜或層，而間接形成在藍寶石基板2的表面2a。此外，在藍寶石基板2的表面2a，也可以形成用於電連接的接觸層或光反射層等。另外，在上述實施方式中，第1導電類型為n型，第2導電類型為p型，但也可以使第1導電類型為p型，第2導電類型為n型。
    另外，改質區域不限於僅因多光子吸收而形成的情況，也有因相當於多光子吸收的光吸收等，其他光吸收或熱影響而形成的情況。即，多光子吸收是能夠形成改質區域的現象的一個例子。
    另外，為了使雷射光L1的聚光點P1，沿著切斷預定線5a、5b相對地移動，可以使雷射光源101側(雷射光源101、分色鏡103和聚光用透鏡105等)移動，也可以使支撐台107和雷射光源101側的兩者移動。
    另外，在使用保護膠帶23的上述實施方式的各個中，只要是在蝕刻時能夠固定藍寶石基板2，也可以使用保護膠帶23以外的構件。例如，除了保護膠帶23以外，也可以利用半導體製程中，通常使用的晶片(藍寶石基板)的固定方法。
    另外，在使用保護膠帶24的上述實施方式的各個中，由於保護膠帶24在後面的光反射層21的形成時，因基板加熱等而被置於150℃~300℃的環境下，因此，在光反射層21的形成時的溫度下，具有耐熱性為較佳。另外，作為保護膠帶24，為了保護半導體層17而使用彈性的樹脂膠帶，但只要是具有保護半導體層17的功能即可，因此，除了保護膠帶24以外，也可以使用各種的保持構件。例如，可以利用在表面具備黏著層的基板(由玻璃或陶瓷、金屬等的剛體構成的基板)作為保持構件，該黏著層具有與半導體層17接觸並固定的功能。在這樣的保持構件中，也在光反射層21的形成時的溫度下具有耐熱性為較佳。還有，保護膠帶24在形成光反射層21之前，也可以重新貼在在光反射層21的形成時的溫度下，具有耐熱性的其他的保護膠帶或保護構件上。
    根據本發明，可以高成品率地製造在藍寶石基板的背面上形成有光反射層的發光元件。
    1‧‧‧加工對象物
    2‧‧‧藍寶石基板
    2a‧‧‧表面
    2b‧‧‧背面
    3‧‧‧表面
    5、5a、5b‧‧‧切斷預定線
    7、7a、7b‧‧‧改質區域
    8‧‧‧切斷起點區域
    17‧‧‧半導體層
    17a、33a‧‧‧n型半導體層
    17b、33c‧‧‧P型半導體層
    18a、18b‧‧‧電極
    19‧‧‧定向平面
    21‧‧‧光反射層
    23、24‧‧‧保護膠帶
    25‧‧‧凹部
    26a、26b‧‧‧龜裂
    28‧‧‧刀口
    29‧‧‧擴展膠帶
    31‧‧‧發光二極體
    33b‧‧‧活性層
    35‧‧‧共振面
    100‧‧‧雷射加工裝置
    101‧‧‧雷射光源
    102‧‧‧雷射光源光源控制部
    103‧‧‧分色鏡
    105‧‧‧聚光用透鏡
    107‧‧‧支撐台
    111‧‧‧平台
    115‧‧‧平臺控制部
    L、L1、L2、L3‧‧‧雷射光
    P、P1、P2、P3‧‧‧聚光點
    圖1是改質區域的形成所使用的雷射加工裝置的概略結構圖。
    圖2是成為改質區域的形成的對象的加工對象物的平面圖。
    圖3是沿著圖2的加工對象物的III-III線的截面圖。
    圖4是雷射加工後的加工對象物的平面圖。
    圖5是沿著圖4的加工對象物的V-V線的截面圖。
    圖6是沿著圖4的加工對象物的VI-VI線的截面圖。
    圖7是本發明的第1實施方式的發光元件的製造方法中，成為加工對象的藍寶石基板的立體圖。
    圖8是圖7的藍寶石基板的平面圖。
    圖9是在圖8的藍寶石基板上，形成有III-V族化合物半導體層的狀態下的晶片的部分截面圖。
    圖10是在圖9的藍寶石基板上，貼上保護膠帶的狀態下的晶片的部分截面圖。
    圖11是在圖10的III-V族化合物半導體層上，形成有凹部的狀態下的晶片的部分截面圖。
    圖12是在圖11的III-V族化合物半導體層上，形成有電極的狀態下的晶片的部分平面圖。
    圖13是在圖12的藍寶石基板上，形成有改質區域的狀態下的晶片的部分截面圖。
    圖14是在圖13的藍寶石基板上，形成有光反射層的狀態下的晶片的部分截面圖。
    圖15是在圖14的晶片被切斷的狀態下的晶片的部分截面圖。
    圖16是在圖15的晶片被切斷成發光元件的狀態下的發光元件的截面圖。
    圖17是在本發明的第2實施方式的發光元件的製造方法中，在藍寶石基板上，形成有改質區域的狀態下的晶片的部分截面圖。
    圖18是在本發明的第3實施方式的發光元件的製造方法中，在藍寶石基板上，形成有改質區域的狀態下的晶片的部分截面圖。
    圖19是在本發明的第4實施方式的發光元件的製造方法中，龜裂伸展的狀態下的晶片的部分截面圖。
    圖20是在本發明的第5實施方式的發光元件的製造方法中，龜裂伸展的狀態下的晶片的部分截面圖。
    圖21是圖20的晶片的部分平面圖。
    圖22是用於說明發光元件的製造方法的變形例的晶片的部分截面圖。
    圖23是用於說明發光元件的製造方法的其他變形例的晶片的部分截面圖。
    圖24是表示研磨基板的背面的方法的一個例子的晶片的部分截面圖。
    2‧‧‧藍寶石基板
    2a‧‧‧表面
    2b‧‧‧背面
    5a、5b‧‧‧切斷預定線
    7a、7b‧‧‧改質區域
    17‧‧‧半導體層
    17a‧‧‧n型半導體層
    17b‧‧‧P型半導體層
    18a、18b‧‧‧電極
    24‧‧‧保護膠帶
    25‧‧‧凹部
    L1‧‧‧雷射光
    P1‧‧‧聚光點
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種發光元件的製造方法，具備：第2步驟，將聚光點對準在表面上形成有III-V族化合物半導體層的藍寶石基板的內部，以前述藍寶石基板的背面作為雷射光入射面，沿著規定的切斷預定線照射第1雷射光，由此沿著前述切斷預定線，在前述藍寶石基板的內部形成改質區域；第3步驟，在前述第2步驟之後，在前述藍寶石基板的前述背面形成光反射層；第4步驟，在前述第3步驟之後，藉由使以前述改質區域為起點，而產生的龜裂在前述藍寶石基板的厚度方向上伸展，從而沿著前述切斷預定線，切斷前述藍寶石基板、前述III-V族化合物半導體層和前述光反射層，製造發光元件。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的製造方法，其中，在前述第2步驟中，沿著前述切斷預定線，在前述藍寶石基板的內部形成前述改質區域，以使前述第4步驟中，在前述藍寶石基板的厚度方向上伸展的前述龜裂至少預先到達前述藍寶石基板的前述表面。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的製造方法，其中，在前述第2步驟中，沿著前述切斷預定線，在前述藍寶石基板的內部形成前述改質區域，以使前述第4步驟中，在前述藍寶石基板的厚度方向上伸展的前述龜裂預先到達前述藍寶石基板的前述背面。
    [4] 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所述的發光元件的製造方法，其中，在前述第4步驟中，藉由從前述光反射層的一側，沿著前述切斷預定線擠壓刀口，使以前述改質區域為起點，而產生的前述龜裂在前述藍寶石基板的厚度方向上伸展。
    [5] 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的發光元件的製造方法，其中，還具備：在前述第3步驟之後且前述第4步驟之前，藉由從前述光反射層的一側，沿著前述切斷預定線，照射相對於前述光反射層具有吸收性的第2雷射光，使以前述改質區域為起點，而產生的前述龜裂在前述藍寶石基板的厚度方向上伸展的步驟，在前述第4步驟中，藉由使以前述改質區域為起點，而產生的前述龜裂在前述藍寶石基板的厚度方向上進一步伸展，從而沿著前述切斷預定線，切斷前述藍寶石基板、前述III-V族化合物半導體層和前述光反射層。
    [6] 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所述的發光元件的製造方法，其中，在前述第4步驟中，藉由從前述光反射層的一側，沿著前述切斷預定線，照射相對於前述光反射層具有吸收性的第2雷射光，使以前述改質區域為起點，而產生的前述龜裂在前述藍寶石基板的厚度方向上伸展。
    [7] 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的發光元件的製造方法，其中，還具備：在前述第3步驟之後且前述第4步驟之前，藉由將聚光點對準前述藍寶石基板的內部，並從前述III-V族化合物半導體層的一側，沿著前述切斷預定線，照射相對於前述III-V族化合物半導體層具有透過性的第3雷射光，使以前述改質區域為起點，而產生的前述龜裂在前述藍寶石基板的厚度方向上伸展的步驟，在前述第4步驟中，藉由使以前述改質區域為起點，而產生的前述龜裂在前述藍寶石基板的厚度方向上進一步伸展，從而沿著前述切斷預定線，切斷前述藍寶石基板、前述III-V族化合物半導體層和前述光反射層。
    [8] 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所述的發光元件的製造方法，其中，在前述第4步驟中，藉由將聚光點對準前述藍寶石基板的內部，並從前述III-V族化合物半導體層的一側，沿著前述切斷預定線，照射相對於前述III-V族化合物半導體層具有透過性的第3雷射光，使以前述改質區域為起點，而產生的前述龜裂在前述藍寶石基板的厚度方向上伸展。
    [9] 如申請專利範圍第7或8項所述的發光元件的製造方法，其中，僅在前述切斷預定線的交叉部分，從前述III-V族化合物半導體層的一側，沿著前述切斷預定線，照射前述第3雷射光。
    [10] 如申請專利範圍第1~9項中的任一項所述的發光元件的製造方法，其中，還具備：在前述第2步驟之前，在前述藍寶石基板的前述表面上，形成前述III-V族化合物半導體層的第1步驟。
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    JP2011-160027||2011-07-21||
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